（A）光电位置传 感器是通过光伏效应来测量的，不能同时测量光点的
位置和强度；  
     （B）光电位 置传感器是通过光电导效应来测量的，不能同时测量光点
的大小和强度；  
     （C） 光电位置传感器是通过光伏效应来测量的，可以同时测量光点的
大小和强度；  
     （ D）光电位置传感器是通过光电导效应来测量的，可以同时测量光点
的位置和强度； 
25. 在内光电效应材料中：                                           （D）  
  （A）入射光波长越长，光吸收系数越大，量子效率越高；  
  （B） 入射光波长越长，光吸收系数越小，量子效率越低；  
  （C）入射光波长越短，光吸收系数越大， 量子效率越高；  
  （D）随着入射光波长由长变短，光吸收系数越来越大，但量子效率则由
低到高后，又随波长变短而越来越低； 
26. 下列各物体哪个是绝对黑体：                                    （ B ）  
(A) 不辐射任何光线的物体           
 (B) 不能反射任何光线的物体   
(C) 不能反射可见光的物 体          
(D) 不辐射可见光的物体  
27. 光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（ D ）激发出电子
－空穴对，在自建电场的作 用下，电子流向N区，空穴流向P区,使P区和N
区两端产生电位差,P端为正，N端为负。 
 A P区  B N区  C 中间区  D 结区 
28. 能发生光电导效应的半导体是                                       
A. 本征型和激子型      B. 本征型和晶格型     
C. 本征型和杂质型       D. 本征型和自由载流 子型 
29. 光敏电阻的光电特性由光电转换因子
γ
描述，在强辐射作用下           
A. 
γ
=0.5     B. 
γ
=1      C. 
γ
=1.5     D. 
γ
=2 
30. 硅光二极管主 要适用于[D  ] 
  A紫外光及红外光谱区       B可见光及紫外光谱区   
C可见光区                 D 可见光及红外光谱区 
31. 光视效能K
λ
为最大值时的波长是  （A）                                   
  A．555nm        B.666nm     C．777nm        D.888nm 
32. 下列辐射体的辐射发射率ε与波长λ有关系的是（    B     ） 。 
a)        黑体；b)        灰体；c)        选择体。 
33. P型半导体的费米能级处于禁带（    C　  ）. 
A. 中间 B. 上部C. 下 部   D. 不确定 
34. N型半导体的费米能级处于禁带（    B　  ）. 
A . 中间  B. 上部C. 下部   D. 不确定． 
35.  材料的禁带宽度，最大的是(    C   ) 
    A. 金属; B. 杂质半导体C. 绝缘体; D. 本征半导体． < /p>

36. 费米能级Ef的意义是电子占据率为(    D    )时所对应的能级  
    A. 0；      B. 0.1；C. 0.2；        D. 0.5． < br>37. 光源在指定方向上通过单位立体角内的辐射通量的多少，称为(   B   ). 
     A. 辐功率；    B. 辐强度；   C. 辐照度；   D. 辐出度 
38. 电 子亲和势，是指电子从（　A　）到真空能级的能级差。 
A.导带底能级      B. 价带顶能 级     C. 费米能级    D. 施主能级 
39.  辐通量相同时，光通量最小的光的波 长是（  D  ）nm． 
A.555       B.590        C.620         D.780 
40. 关于人眼的光谱光视效率，以下说法正确的是（ C    ） A对各种波长的入射光，只要它们的光谱辐射通量相等，则人眼感到的主
观亮度相等  
B 光源的亮度对人眼的光谱光视效率没有影响  
C 对波长为589 nm的入射光，人眼亮视觉的光谱 光视效率大于人眼暗视觉
的光谱光视效率 
D对波长为840 nm的入射光，人眼亮视觉的光 谱光视效率小于人眼暗视觉
的光谱光视效率 
 
41. PN结光生伏特效应 (    B   ). 
A. 电子集中的P区；            B . 电子集中的N区结表面；  
C. 电子集中的P区表面；        D. 电子集中的N区表面. 
42. 用光 电法测量某高速转轴的转速时，选用最合适的的光电器件是(  D  ). 
A. PMT                         B. CdS光敏电阻 
C. 2CR42硅光电池               D. 3DU型光电三极管 
43. 灵敏度最高的光电器件是(   B    )． 
A光电二极管 B.光敏电阻C.光电三极管 D.硅光电池   
44. 发光效率的 单位（  A  ）. 
A.流明每瓦B.无量纲C.流明  D.瓦特每球面度 
45. 已 知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm,则该材料的禁带宽度为
（   A   ）. 
A．0.886 eV  B. 1 eV      C．2 eV     D. 1.3 eV 
46. 辐通量相同时，光通量较大的光的波长是（  A ）nm． 
A.555       B .590       C.620        D.780 
47. PN结光生伏特效应 (    A   ). 
A. 空穴集中的P区结表面；     B . 空穴集中的N区； 
C . 空穴集中的P区外表面；     D. 空穴集中的N区外表面 
48. 当黑体的温度升高时，其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为
（A）
A.向短波方向移动 B.向长波方向移动 C.不移动 D.均有可能
49. 已知某He-Ne激光器的输出功率为8mW，正常人眼的明视觉和暗视觉最大
光谱光是效能分别为68 3lmW和1725lmW，人眼明视觉光谱光视效率为
0.24，则该激光器发出的光通量为（D）

A.3.31lx B.1.31lx C.3.31lm D.1.31lm
50. 已知某辐射源发出的功率为1W，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则 该辐
射源辐射的光通量为（B）
A 683lm B341.5lm C 1276lm D 638lm
51. 某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能ΔE
i
为（B）
A.
0.095J
B.
0.095eV
C.
9.5×10
4
J
D.
9.5×10
4
eV

52. 光电发射材料
K
2
CsSb
的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发
射阈值的大小为（ D）
A. 
1.82×10
3
J
B. 
1.82×10
3
eV
C. 
1.82J
D. 
1.83eV
 
53. 用光电法测量某高速转轴的转速时，最好选用（ D）为光电接收器件。
光敏电阻 C.2CR42硅光电池 D.3DU型光电三极管
54. 硅光电池在（ D ）偏置时，其光电流与入射辐射量有良好的线性关系，且
动态范围较大。
A.恒流 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置
55. 硅光电池在（ B ）情况下有最大的输出功率。
A.开路 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置
56. 硅光电池的受光面的输出多做成梳齿状或E字形电极，其目的是（B ）。
A．增大内电阻 B.减小内电阻 C. 简化制作工艺 D.约定俗成
57. 硅光电三极管偏置电压为零，现在逐渐增强其光照度，则此时光电三极管集
电极电流的变化为（D）。
A电流不断增大 B.电流逐渐减小
C.电流逐渐增大，到一定程度后趋于稳定 D电流大小始终为零
58. 为了提高光电二极管短波段波长的光谱响应，下面可以采取的措施是（D）。
A.增强短波波长光谱的光照强度 B.增强长波波长光谱的光照强度
C.增加PN节厚度 D.减薄PN节厚度
59. 光伏器件的自偏置电路主要用于（ B ）器件
A.光电三极管 B.光电池 位置传感器 D.象探测器
60. 硅光电二极管与硅光电池比较，前者（  A  ）． 
A．掺杂浓度低                 B．电阻率低 
C．零偏工作                    D．光敏面积大 
61. 属于成像的器件（  C  ）. 
A. LD   B. LED  C. CCD   D. PMT 
 
62. 对于光电发 射效应，下列说法不正确的是（  D   ） 
A光电发射效应，又称外光电效应；  
B金 属光电发射量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫

外区；   C半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表
面能带弯曲降低了电子逸 出功，特别是负电子亲和势材料(NEA)；     
D良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高 
63. 在内光电效应材料中 ：                                          （D）    （A）入射光波长越长，光吸收系数越大，量子效率越高；  
  （B）入射光波长越长，光 吸收系数越小，量子效率越低；  
  （C）入射光波长越短，光吸收系数越大，量子效率越高；  
  （D）随着入射光波长由长变短，光吸收系数越来越大，但量子效率则由
低到高后，又随波 长变短而越来越低； 
  
64. PIN型二极管称为快速二极管的原因是（  A     ） 
A结电容小 B 量子效率高C 对长波灵敏 D 可承受较高反向偏压 
65. 依据光 电器件伏安特性，下列探测器中是恒流源的是 （  C   ）                         
A 光电池   B CCD    C PMT    D 色敏传感器 
66. 硅 光二极管主要适用于[ D ] 
  A紫外光及红外光谱区       B可见光及紫外光谱区    
C可见光区                 D 可见光及红外光谱区 
67. 光电二 极管与光电池相比较，其特性有所不同，下列的说法不不正确的是
（  A  ）。 
A 它们 的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较低，而光电二极管掺杂浓度高  
   B它们的电阻率不同，光电池的电阻率低   
   C工作电压偏置条件不同，光电池通常在 零偏置下工作，而硅光电二极管
通常在反向偏置下工作      
D它们的光电流的大小不同，硅光电二极管的光电流小得多，通常在微安
级 
68. 光电导探 测器与其它光探测器相比，下列说法那种是不正确的（  C   ） 
A 光谱响应范围相当宽，它们 组合起来后可以覆盖从紫外、可见光、近红外
延伸至远红外波段甚至极远红外的光谱响    
B 工作电流大，可达数毫安   
C 在强光弱光照射下，光电转换线性度均好    
D  灵敏度高，光电导增益可大于1 
 
69. P型半导体的费米能级处于禁带（    C　   ）. 
A. 中间 B. 上部C. 下部   D. 不确定 
。 70. 光电探测器单 位信噪比的光功率，称为光电探测器的（  C  ）
    A. 电流灵敏度;                  B. 光谱灵敏度; 
    C. 噪声等效功率;                    D. 通量阈 
71. 光电倍增管的长波限和短波限由什么因素决定？（    D    ） 
A光电阴极材料、倍增级材料和窗口材料 

B光电阴极材料和倍增级材料 
C窗口材料和倍增级材料 
D光电阴极材料和窗口材料 
72.  PN结光生伏特效 应 (   B   ). 
A. 电子集中的P区；            B . 电子集中的N 区结表面； 
C. 电子集中的P区表面；        D. 电子集中的N区表面. 
7 3. 光源的光谱特性反映的是它的辐通量与（ A    ）的关系 
 A 波长   B 角度   C 输入电流   D 发光面积 
74. 下列关于探测器的噪声，说法不正确的是  （    B     ） 
A通过提高探测器的工作频率可以降低1f 噪声 
B通过一定的措施可以完全消 除散粒噪声 
C探测器的噪声越小，其可探测的信号越弱 
D降低探测器的工作温度可以减小探 测器的热噪声

计算题
1．某输出功率为6mW的氦氖激光器，发出波长为0.63 28μm的光束，均匀地投射到0.8cm2
的白色屏幕上。已知屏幕的反射系数为0.96，设光速C = 3×108ms，普朗克常数 h = 
6.626×10‐34j∙s ，氦氖激光的视见函数V (6328) = 0.268，  
试求：（1）幕的光照度为多少lx？ 
             （2）幕的反射出射度为多少lx？ 
            （3）幕每秒钟接收多少个 光子？ 
2．在距离标准钨丝灯2m远处放置一个照度计探头，已知探头的光敏面积为0.5 cm2， 若照
度计测得的最大照度为100(lx)，标准钨丝灯的发光效率是17.4lmw试求  
标准钨丝灯在该方向的发光强度为多少？ 
2、所发出的光通量为多少？ 
3、它所发出的辐射 通量又为多少？  
3．本征半导体材料Ge在295K下其禁带宽度Eg＝0.67(eV)，现将其 掺入杂质Hg，锗掺入汞
后其成为电离能Ei＝0.09（eV
）的非本征半导体。试计算本征 半导体锗和非本征半导体锗掺
汞所制成的光电器件的截至波长.  
4．已知从铝金属逸出一个 电子至少需要A=4.2eV的能量，若用可见光投射到铝的表面，能
否产生光电效应？为什么？画出铝 的能带图。   
5．室温300k时，硅光电池（光敏面积5mmx5mm）在辐照度为100mwc m2时的开路电压
为Voc＝550mV，短路电流Isc＝6mA，试求： 
（1）辐照度降 低到50mWcm2时的开路电压Voc和短路电流Isc 
（2）将硅光电池安装在偏置电路中，测得 输出电压Uo＝1V，求光敏面上的辐射通量和辐射
照度。 

 
6．利 用2CU1光电二极管和3DG40三极管构成如下图所示的探测电路。已知光电二极管的
电流灵敏度S i＝0.4uAuW,其暗电流小于0.2uA,三极管3DG60C的电流放大倍数50，最高入
射辐 射功率为400uW时的拐点电压VM=10V。 
1)求获得最大电压输出时的Re值。 
2 )若入射辐射功率由400uW减少到350uw时，输出电压变化量为多少？  
 
7．光电 倍增管的阳极灵敏度为100Alm,阴极灵敏度为2uAlm,要求阳极的输出电流限制在
100uA 范围内，求允许的最大入射光通量。 
8．光电倍增管GDB44F的阴极光照灵敏度为0.5uAlm ,阳极的光照灵敏度是50Alm,要求长
期使用时阳极允许电流限制在2uA以内，求： 
    1）阴极面上允许的最大光通量 
   2）阳极电阻为75KΩ时，最大输出电压 
    3）若已知光电倍增管为12级，二次电子发射系数σ＝0.2（UDD）0.7，计算它的供电电
压 。 
   4）当输出信号的稳定度为1％时，求高压电源电压的稳定度。 
9．在如图所示的 电路中，已知Re=3.3kΩ，UW=4V，Ubb=12V；光敏电阻为RP，当光照度

为30lx时输出电压为6V，80 lx时为9V。（设该光敏电阻在30到100lx之间的γ值不变）   
试求：   输出电压为8V时的照度为多少lx ？ 
 
10．在如图所示的恒 压偏置电路中，已知DW为2CW12型稳压二极管，其稳定电压值为6V，
设Rb=1kΩ，RC=5 10Ω, 三极管的电流放大倍率不小于80，电源电压Ubb=12V，当CdS光敏
电阻光敏面上的 照度为100lx时恒压偏置电路的输出电压为10V,照度为300lx时输出电压为
8V, 
1)试计算输出电压为9V时的照度（设光敏电阻在100~500lx间的γ值不变）为多少lx？ 
2) 照度到500lx时的输出电压为多少？