曹妃甸管委会招聘-小学生国庆节黑板报

2 半导体三极管
自我检测题
一．选择和填空
1. 三极管工作 在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为
_A_，集电结为_A_。
（A．正向偏置，B．反向偏置，C．零偏置）
2. NPN和PNP型三极管的区别取决于 D 。
（A．半导体材料硅和锗的不同，B．掺杂元素的不同，C．掺杂浓度的不同，D．P区
和N区的位置不同）
3. 三极管的共射交流电流放大系数

定义为I
C
变化量（或ΔI
C
）与I
B
变化量（或ΔI
B
）
之比，共基交流电流放大系数

定义为I
C
变化量（或ΔI
C
）与I
E
变化量（或ΔI
E
） 之比。已
知某三极管的

＝0.99，那么该管的

99 。
4. 三极管的I
CBO
是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；I
CEO
是指
基 极开路时，_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。
5. 随着温度升高，三极管的电流放大系数

_A_，穿透电流
I
CEO
_A_，在I
B
不变 的情况
下b-e结电压V
BE_
B
_
。
（ A．增大，B．减小，C．不变）
6．对于同一个三极管来说，
I
CBO
A
I
CEO
；
V
BR(CBO)
B
V
BR(CEO)
。（A．小于， B．大于，
C．等于）
7. 随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出
特性曲线的间隔将 E 。
（A．上移， B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）
8. 已知某三极管的P
CM
＝800mW，I
CM
＝500mA,，
V
BR(CEO)＝30V。若该管子在电路中工
作电压V
CE
＝10V，则工作电流I
C
不应超过 80 mA；若V
CE
＝1V，则I
C
不应超过 500 mA。
若管子的 工作电流I
C
＝10mA，则工作电压V
CE
不应超过 30 V；若I
C
＝200mA，则V
CE
不应
超过 4 V。

二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．NPN型和PNP型三极管都有三个电极、两个PN结，正常工作时外加电压的要求相
同。 （ × ）
2．三极管工作在放大状态时，集电极电流是由多子漂移形成的。 （ × ）
3．三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。（ × ）
4. 三极管的外部电流关系是
i
C


iB
，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。
（ × ）
5．三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。 （ √ ）
6．测出某三极管的共基电流放大系数

小于1，表明该管子没有放大能力。 （ × ）
7．由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放
大能 力大大减小。 （ √ ）
8. 只要是硅三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压< br>v
BE
都
为0.7V左右。 （ × ）


9. 三极管的共射电流放大系数
β
和共 基直流电流放大系数

之间的关系为
（ × ）


(1

)
。
10．三极管的 I
CEO
大约为I
CBO
的（1+

）倍。 （√ ）
习题
2.1在三极管放大电路中，测得三个三极管的各个电极的对地静态电位 如图题2.1所示，
试判断各三极管的类型（NPN、PNP、硅、锗），并注明电极e、b、c的位置 。



2V

2.7V

5V
( a )

2V

4.3V
( b )
5V


-5V
-1V

-1.3V


( c )

图题2.1
解：
（a）图为NPN型硅三极管，左起e、b、c；
（b）图为PNP型硅三极管，左起 c、b、e；
（c）图为PNP型锗三极管，左起 c、e、b。

2.2用直流 电压表测得电路中三极管各电极的对地静态电位如图题2.2所示，试判断这
些三级管分别处于什么状态 。
+6V

-18V

-8.5V

+12V

+6V

0V

-12.7V

-9.2V

+3V

+5.3V

-0.7V

( 1 )
-12V

( 2 )
-3V
( 3 )

0V

( 4 )
+5.7V

( 5 )

图题2.2
解：（1）NPN管，
V
BE
0.7V
，发射结正偏置，
V
BC
6V
，集电结反偏置，放大
（2）PNP管，
V
BE
0.7V
，发射结正偏置，
V
BC
5.3V
，集电结反偏置，放大
（3）NPN管，
V
BE
0.7V
，发射结反偏置，截止
（4）NPN管，
V
BE
3V
，发射结电压过高，损坏
（5〕PNP管，
V
BE
0.7V
，发射结正偏置，
V
BC
0.4V
，集电结正偏置，饱和

2.3在某放大电路中有两只三 极管。测得每个三极管的两个电极中的电流大小和方向如
图题2.3（a）、（b）所示。
（1）标出另一个电极中的电流大小和方向；
（2）判断管子类型（NPN、PNP），表明电极e、b、c的位置；
（3）估算管子的β值。

22
5mA
0.1mA
6 mA
6.1mA
1
( a )
31
( b )
3

图题2.3
解：
（a）由KCL得另一电极的电流为（5-0.1）=4.9mA ，流入，管子类型为NPN，①②③
对应于e、c、b，

4.90.149。
（b）由KCL得另一电极的电流为6.1-6=0.1mA，流出，管子类型为PNP，①② ③对应
于 c、b、e，

60.160
。

2.4 某大功率三极管的输出特性如图题2.4所示，试求出该管子的

、

、I< br>CEO
、V
BR(CEO)
和P
CM
。
i
C
A
6
5
4
3
2
1
01020
I
C
=5mA
304050
I
B
=120mA
100 mA
80mA
60mA
40mA
20mA
0mA
60
v
CE
V

图题2.4
解：

I
C
I
B
1mA20

A5 0




1

0.98

I
CEO
＝5
mA

V
BR(CEO)
≈65V
P
CM
≈150=50W

2 半导体三极管
自我检测题
一．选择和填空
1. 三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为
_A_，集电结为_A_。
（A．正向偏置，B．反向偏置，C．零偏置）
2. NPN和PNP型三极管的区别取决于 D 。
（A．半导体材料硅和锗的不同，B．掺杂元素的不同 ，C．掺杂浓度的不同，D．P区
和N区的位置不同）
3. 三极管的共射交流电流放大系数

定义为I
C
变化量（或ΔI
C
）与I
B
变化量（或ΔI
B
）
之比，共基交流电流放大系数

定义为I
C
变化量（或ΔI
C
）与I
E
变化量（或ΔI
E
） 之比。已
知某三极管的

＝0.99，那么该管的

99 。
4. 三极管的I
CBO
是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；I
CEO
是指
基 极开路时，_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。
5. 随着温度升高，三极管的电流放大系数

_A_，穿透电流
I
CEO
_A_，在I
B
不变 的情况
下b-e结电压V
BE_
B
_
。
（ A．增大，B．减小，C．不变）
6．对于同一个三极管来说，
I
CBO
A
I
CEO
；
V
BR(CBO)
B
V
BR(CEO)
。（A．小于， B．大于，
C．等于）
7. 随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出
特性曲线的间隔将 E 。
（A．上移， B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）
8. 已知某三极管的P
CM
＝800mW，I
CM
＝500mA,，
V
BR(CEO)＝30V。若该管子在电路中工
作电压V
CE
＝10V，则工作电流I
C
不应超过 80 mA；若V
CE
＝1V，则I
C
不应超过 500 mA。
若管子的 工作电流I
C
＝10mA，则工作电压V
CE
不应超过 30 V；若I
C
＝200mA，则V
CE
不应
超过 4 V。

二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．NPN型和PNP型三极管都有三个电极、两个PN结，正常工作时外加电压的要求相
同。 （ × ）
2．三极管工作在放大状态时，集电极电流是由多子漂移形成的。 （ × ）
3．三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。（ × ）
4. 三极管的外部电流关系是
i
C


iB
，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。
（ × ）
5．三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。 （ √ ）
6．测出某三极管的共基电流放大系数

小于1，表明该管子没有放大能力。 （ × ）
7．由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放
大能 力大大减小。 （ √ ）
8. 只要是硅三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压< br>v
BE
都
为0.7V左右。 （ × ）


9. 三极管的共射电流放大系数
β
和共 基直流电流放大系数

之间的关系为
（ × ）


(1

)
。
10．三极管的 I
CEO
大约为I
CBO
的（1+

）倍。 （√ ）
习题
2.1在三极管放大电路中，测得三个三极管的各个电极的对地静态电位 如图题2.1所示，
试判断各三极管的类型（NPN、PNP、硅、锗），并注明电极e、b、c的位置 。



2V

2.7V

5V
( a )

2V

4.3V
( b )
5V


-5V
-1V

-1.3V


( c )

图题2.1
解：
（a）图为NPN型硅三极管，左起e、b、c；
（b）图为PNP型硅三极管，左起 c、b、e；
（c）图为PNP型锗三极管，左起 c、e、b。

2.2用直流 电压表测得电路中三极管各电极的对地静态电位如图题2.2所示，试判断这
些三级管分别处于什么状态 。
+6V

-18V

-8.5V

+12V

+6V

0V

-12.7V

-9.2V

+3V

+5.3V

-0.7V

( 1 )
-12V

( 2 )
-3V
( 3 )

0V

( 4 )
+5.7V

( 5 )

图题2.2
解：（1）NPN管，
V
BE
0.7V
，发射结正偏置，
V
BC
6V
，集电结反偏置，放大
（2）PNP管，
V
BE
0.7V
，发射结正偏置，
V
BC
5.3V
，集电结反偏置，放大
（3）NPN管，
V
BE
0.7V
，发射结反偏置，截止
（4）NPN管，
V
BE
3V
，发射结电压过高，损坏
（5〕PNP管，
V
BE
0.7V
，发射结正偏置，
V
BC
0.4V
，集电结正偏置，饱和

2.3在某放大电路中有两只三 极管。测得每个三极管的两个电极中的电流大小和方向如
图题2.3（a）、（b）所示。
（1）标出另一个电极中的电流大小和方向；
（2）判断管子类型（NPN、PNP），表明电极e、b、c的位置；
（3）估算管子的β值。

22
5mA
0.1mA
6 mA
6.1mA
1
( a )
31
( b )
3

图题2.3
解：
（a）由KCL得另一电极的电流为（5-0.1）=4.9mA ，流入，管子类型为NPN，①②③
对应于e、c、b，

4.90.149。
（b）由KCL得另一电极的电流为6.1-6=0.1mA，流出，管子类型为PNP，①② ③对应
于 c、b、e，

60.160
。

2.4 某大功率三极管的输出特性如图题2.4所示，试求出该管子的

、

、I< br>CEO
、V
BR(CEO)
和P
CM
。
i
C
A
6
5
4
3
2
1
01020
I
C
=5mA
304050
I
B
=120mA
100 mA
80mA
60mA
40mA
20mA
0mA
60
v
CE
V

图题2.4
解：

I
C
I
B
1mA20

A5 0




1

0.98

I
CEO
＝5
mA

V
BR(CEO)
≈65V
P
CM
≈150=50W