初中生记叙文-高中生社会实践报告

BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20****90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，IO引脚数急
剧增加，功耗也随之增 大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了
满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内
存容量提高两到三倍，BGA与TSOP 相比，具有更小的体积，更好
的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很
大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有
TSOP封装的三分之一；另外，与 传统TSOP封装方式相比，BGA
封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装 的IO端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装
下面，BGA技术的优点是IO引脚数虽然增加了， 但引脚间距并没
有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但
BGA能用 可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度
和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数 减小，信号传输延迟
小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。

例 如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；
而引脚中心距为0.5mm的30 4引脚QFP为40mm见方。而且BGA
不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Moto rola公司开
发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人
计算机中普 及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数
为225。现在也有一些LSI厂家正在 开发500引脚的BGA。BGA的

问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效 的外观检查方
法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只
能通过功能检 查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封
装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封 装称为GPAC(见OMPAC
和GPAC)。
2、BQFP(quadflatpac kagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁
平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角 设置突起(缓冲垫)以防
止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器
和 ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84
到196左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)表面贴装型PGA的别称(见< br>表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶
瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷 双列直插式封装，用于ECLRAM，
DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线
擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距
2.54mm ，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻
璃密封的意思)。
6、 Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用
于封装DSP等的逻辑LSI电路。 带有窗口的Cerquad用于封装
EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许 1.5～

2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有
1. 27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数
从32到368。
7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表
面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗
口的用于封装紫外线擦除型 EPROM以及带有EPROM的微机电路
等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)
8、COB(chiponboard板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，
半导体芯片 交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线
缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝 合方法实现，并用树
脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它
的封装 密度远不如TAB和倒片焊技术
9、DFP(dualflatpackage)双侧引脚扁平封 装。是SOP的别称(见
SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dualin- lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别
称(见DIP).
11、DIL(dualin-line)DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用
此名称。
12、DIP封装，是dual inline-pin package的缩写，也叫双列直插式封装技术，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。指采用
双列直插形式封装 的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均
采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。 DIP封装的CPU

芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，
也可 DIP封装
以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP< br>封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。DIP
封装结构形式有：多层陶瓷 双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式
DIP，引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构 式，陶瓷
低熔玻璃封装式）等。
13、DSO(dualsmallout- lint)双侧引脚小外形封装。SOP的别称
(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。TCP(带
载 封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的
是TAB(自动带载焊接)技术，封装 外形非常薄。常用于液晶显示驱动
LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封 装正处
于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将
DICP命名 为DTP。
15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本电子机械工 业会标准对
DTCP的命名(见DTCP)。
16、FP(flatpackage)扁 平封装。表面贴装型封装之一。QFP或
SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名 称。

17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压
焊连接。封装的占有面积基本上 与芯片尺寸相同。是所有封装技术中

体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与 LSI芯片不同，
就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来
加固LS I芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

18、FQFP(finepitch quadflatpackage)小引脚中心距QFP。通常
指引脚中心距小于0.65mm的QFP (见QFP)。部分导导体厂家采用
此名称。
19、CPAC(globetoppad arraycarrier)美国Motorola公司对BGA
的别称(见BGA)。
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚
扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变
形。在把LSI组装在印刷基板上之 前，从保护环处切断引脚并使其成
为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量 生产。引
脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
21、H-(withhea tsink)表示带散热器的标记。例如，HSOP表示
带散热器的SOP。
22、PGA： （Pin-Grid Array，引脚网格阵列）一种芯片封装形
式，缺点是耗电量大。
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排
列。封装基材基本上都采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名
称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑 LSI 电路。成
本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。

为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有
64～256 引脚的塑料PGA。
另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型
P GA(碰焊PGA)。23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部
分半导体厂家采用的名称 。
24、LCC(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的< br>四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。

是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。

25、LGA (landgridarray)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状
态坦电极触点的封装。装配时插 入插座即可。现已实用的有227触
点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的 陶瓷LGA，应用
于高速逻辑LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳
更多 的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很
适用的。但由于插座制作复杂，成本高 ，现在基本上不怎么使用。预
计今后对其需求会有所增加。
26、LOC(leadon chip)芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引
线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中 心附近制作有凸焊
点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附
近的结构 相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。

27、LQF P(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。指封装本体
厚度为1.4m m的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP
外形规格所用的名称。
28、L －QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率
比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封 装的框架用氧化铝，芯
片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，
在 自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm
中心距)和160引脚(0. 65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993
年10月开始投入批量生产。
29 、多芯片模块。多芯片组件。在这种技术中，IC模片不是安
装在单独的塑料或陶瓷封装（外壳）里，而 是把高速子系统（如处理
器和它得高速缓存）的IC模片直接绑定到基座上，这种基座包含多
个 层所所需的连接。MCM是密封的，并且有自己的用于连接电源和
接地的外部引脚，以及所处系统所需要 的那些信号线。将多块半导体
裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术。CM是在混合集成电
路技术基础上发展起来的一项微电子技术，其与混合集成电路产品并
没有本质的区别，只不过MCM具 有更高的性能、更多的功能和更小
的体积，可以说MCM属于高级混合集成电路产品。

MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布
线密度不怎么高，成本较低。
MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶
瓷)作为基板的组件，与使

用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密
度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)
或Si、Al 作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。

BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
20****90年代随着技术的进 步，芯片集成度不断提高，IO引脚数急
剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。 为了
满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使 内存在体积不变的情况下内
存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好
的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很
大提升，采用BGA封装技术的内 存产品在相同容量下，体积只有
TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA
封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的IO端子以圆形或柱状焊点按阵列 形式分布在封装
下面，BGA技术的优点是IO引脚数虽然增加了，但引脚间距并没
有减小反而 增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但
BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善 它的电热性能；厚度
和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟
小，使 用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。

例如，引脚中心距为1.5mm的36 0引脚BGA仅为31mm见方；
而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且 BGA
不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开
发的，首先 在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人
计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中 心距为1.5mm，引脚数
为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的

问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方
法。有的认为 ，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只
能通过功能检查来处理。美国Motorola公 司把用模压树脂密封的封
装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)带 缓冲垫的四侧引脚扁
平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防
止 在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器
和ASIC等电路中采用此封装。引脚 中心距0.635mm，引脚数从84
到196左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(b uttjointpingridarray)表面贴装型PGA的别称(见
表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶
瓷DIP。 是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLR AM，
DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线
擦除型EP ROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距
2.54mm，引脚数从8到42。在日本， 此封装表示为DIP－G(G即玻
璃密封的意思)。
6、Cerquad表面贴装型封装 之一，即用下密封的陶瓷QFP，用
于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于 封装
EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～

2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有
1.27mm、0.8mm、0.6 5mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数
从32到368。
7、CLCC( ceramicleadedchipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表
面贴装型封装之一， 引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗
口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPRO M的微机电路
等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)
8、COB(chip onboard板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，
半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基 板的电气连接用引线
缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树
脂覆盖 以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它
的封装密度远不如TAB和倒片焊技术
9、DFP(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见
SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dualin- lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别
称(见DIP).
11、DIL(dualin-line)DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用
此名称。
12、DIP封装，是dual inline-pin package的缩写，也叫双列直插式封装技术，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。指采用
双列直插形式封装 的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均
采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。 DIP封装的CPU

芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，
也可 DIP封装
以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP< br>封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。DIP
封装结构形式有：多层陶瓷 双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式
DIP，引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构 式，陶瓷
低熔玻璃封装式）等。
13、DSO(dualsmallout- lint)双侧引脚小外形封装。SOP的别称
(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。TCP(带
载 封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的
是TAB(自动带载焊接)技术，封装 外形非常薄。常用于液晶显示驱动
LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封 装正处
于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将
DICP命名 为DTP。
15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本电子机械工 业会标准对
DTCP的命名(见DTCP)。
16、FP(flatpackage)扁 平封装。表面贴装型封装之一。QFP或
SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名 称。

17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压
焊连接。封装的占有面积基本上 与芯片尺寸相同。是所有封装技术中

体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与 LSI芯片不同，
就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来
加固LS I芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

18、FQFP(finepitch quadflatpackage)小引脚中心距QFP。通常
指引脚中心距小于0.65mm的QFP (见QFP)。部分导导体厂家采用
此名称。
19、CPAC(globetoppad arraycarrier)美国Motorola公司对BGA
的别称(见BGA)。
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚
扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变
形。在把LSI组装在印刷基板上之 前，从保护环处切断引脚并使其成
为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量 生产。引
脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
21、H-(withhea tsink)表示带散热器的标记。例如，HSOP表示
带散热器的SOP。
22、PGA： （Pin-Grid Array，引脚网格阵列）一种芯片封装形
式，缺点是耗电量大。
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排
列。封装基材基本上都采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名
称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑 LSI 电路。成
本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。

为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有
64～256 引脚的塑料PGA。
另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型
P GA(碰焊PGA)。23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部
分半导体厂家采用的名称 。
24、LCC(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的< br>四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。

是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。

25、LGA (landgridarray)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状
态坦电极触点的封装。装配时插 入插座即可。现已实用的有227触
点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的 陶瓷LGA，应用
于高速逻辑LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳
更多 的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很
适用的。但由于插座制作复杂，成本高 ，现在基本上不怎么使用。预
计今后对其需求会有所增加。
26、LOC(leadon chip)芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引
线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中 心附近制作有凸焊
点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附
近的结构 相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。

27、LQF P(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。指封装本体
厚度为1.4m m的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP
外形规格所用的名称。
28、L －QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率
比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封 装的框架用氧化铝，芯
片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，
在 自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm
中心距)和160引脚(0. 65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993
年10月开始投入批量生产。
29 、多芯片模块。多芯片组件。在这种技术中，IC模片不是安
装在单独的塑料或陶瓷封装（外壳）里，而 是把高速子系统（如处理
器和它得高速缓存）的IC模片直接绑定到基座上，这种基座包含多
个 层所所需的连接。MCM是密封的，并且有自己的用于连接电源和
接地的外部引脚，以及所处系统所需要 的那些信号线。将多块半导体
裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术。CM是在混合集成电
路技术基础上发展起来的一项微电子技术，其与混合集成电路产品并
没有本质的区别，只不过MCM具 有更高的性能、更多的功能和更小
的体积，可以说MCM属于高级混合集成电路产品。

MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布
线密度不怎么高，成本较低。
MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶
瓷)作为基板的组件，与使

用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密
度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)
或Si、Al 作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。