绵阳南山中学实验学校-心灵鸡汤读后感

第1章 检测题
一、填空题：
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流
子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。
2、P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流
子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。
3、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。
4、三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。
*5、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的
扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一
致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱
和 电流。
6、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中
的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷
区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散 起削弱作用，对
少子的 漂移 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN结 形成。
7、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的 R×1K 档位，当检测时表针偏转度较大时，与
红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。8、检测二极
管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位
置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 绝缘老化不通 。
9、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向
击穿 区。
二、判断正误：
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （错）
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（对）
3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。



（错）
4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（错）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错）
6、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错）
7、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I
CM
时，该管必被击穿。 （错）
三、选择题：
1、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。
A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。
2、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。
A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。
3、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（ C ）。
A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。
4、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。
A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。
5、测得NPN型三极管上各电极对地电位分 别为V
E
＝2.1V，V
B
＝2.8V，V
C
＝4.4V， 说明此三
极管处在（ A ）。
A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。
6、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。
A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。
7、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I
CM
； B、集—射极间反向击穿电压U
（
BR
）
CEO
；
C、集电极最大允许耗散功率P
CM
； D、管子的电流放大倍数

。
8、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）
A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏；
C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。

第2章 检测题
一、填空题：
1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放
大电路。
2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。
3、射极输出器具有 电压增益 恒小于1、接近于1，
4、输入信号和 输出信号 同 相，并具有 输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。
5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为 上 削顶。
6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻 越大 越好，因为这可以减轻信号源的负
荷。人们又希望放大电路的输出电阻 越小 越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
7、放大电路有两种工作状态，当u
i
＝0时电路的状态称为 静 态，有交流信号u
i
输入时，放
大电路的工作状态称为 动 态。在 动 态情况下，晶体管各极电压、电流均包含 直流 分量和 交

1

流 分量。放大器的输入电阻越 大 ，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越 小 ，
放大器带负载能力就越强。
8、电压放大器中的三极管通常工作在 放大 状态下，功率放大器中的三极管通常工作在 极
限 参数情况下。功放电路不仅要求有足够大的 输出电压 ，而且要求电路中还要有足够大的 输
出电流 ，以获取足够大的功率。
9、晶体管由于在长期工作过程中，受外界 温度 及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为
零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做 零点 漂移。克服 零点 漂移的最有
效常用电路是 差动 放大电路。
二、判断下列说法的正确与错误：
1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。 （错）
2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。 （对）
3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。 （错）
4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 （对）
5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。 （对）
6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。 （错）
7、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。（错）
8、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。 （对）
9、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。 （错）
10、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。

（对）
11、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。 （对）
12、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。 （错）
13、放大电路的集电极电流超过极限值I
CM
，就会造成管子烧损。 （错）
14、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。 （错）
15、采用适当的静态起始电压，可达到消除功放电路中交越失真的目的。 （对）
三、选择题：
1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V
B
点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真； B、饱和失真； C、晶体管被烧损。
4、功放首先考虑的问题是（A）。

2

A、管子的工作效率； B、不失真问题； C、管子的极限参数。
5、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A）。
A、放大电路的电压增益； B、不失真问题； C、管子的工作效率。
6、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）
A、带负载能力强； B、带负载能力差； C、减轻前级或信号源负荷。
7、功放电路易出现的失真现象是（C）。
A、饱和失真； B、截止失真； C、交越失真。
8、基极电流i
B
的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。
A、截止区； B、饱和区； C、死区。

第3章 检测题
一、填空题
1、集成运算放大器具有 同相 和 反相 两个输入端，相应的输入方式有 同相 输入、 反相 输
入和 双端 输入三种。
2、理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压 相等 ，称为 虚短 ；
二是输入电流 等于零 ，称为 虚断 。
3、理想集成运放的A
u0
＝ ∞ ，r
i
＝ ∞ ，r
o
＝ 0 ，K
CMR
＝ ∞ 。
4、 反相 比例运算电路中反相输入端为虚地， 同相 比例运算电路中的两个输入端电位等于
输入电压。
5、 同相 比例运算电路的输入电阻大， 反相 比例运算电路的输入电阻小。
6、 同相 比例运算电路的输入电流等于零， 反相 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电
阻中的电流。
7、 同相 比例运算电路的比例系数大于1，而 反相 比例运算电路的比例系数小于零。
8、 同相输入 运算电路可实现A
u
＞1的放大器， 反相输入 运算电路可实现A
u
＜0的放大器，
二、判断下列说法的正确与错误：
1、电压比较器的输出电压只有两种数值。 （对）
2、集成运放使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益。 （错）
3、“虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。 （对）
4、“虚地”是指该点与“地”点相接后，具有“地”点的电位。 （错）
5、集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。 （对）
6、集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。 （错）

7、各种比较器的输出只有两种状态。 （对）
三、选择题：
1、理想运放的开环放大倍数A
u0
为（A），输入 电阻为（A），输出电阻为（B）。
A、∞； B、0； C、不定。
2、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（C）。
A、扁平式； B、圆壳式； C、双列直插式。
3、
3、理想运放的两个重要结论是（B）。
A、虚短与虚地； B、虚断与虚短； C、断路与短路。
5、
4、（B）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。
A、同相； B、反相； C、双端。
5、集成运放的线性应用存在（C）现象，非线性应用存在（B）现象。
A、虚地； B、虚断； C、虚断和虚短。
6、各种电压比较器的输出状态只有（B）。
A、一种； B、两种； C、三种。
综合型
一、判断题（正确的在题后括号内打“√”，错的打“×”，）
1.二极管导通时，电流是从其负极流出，从正极流入的。（ ）
2.二极管的反向漏电越小，其单向导电性能就越好。（ ）
3.在整流电路中，整流二极管只有在截止时，才可能发生击穿现象。（ ）
4.整流输出电压加电容滤波后，电压波动性减小，故输出电压也下降。（ ）
5.稳压二极管正常工作时，其工作点在伏安特性曲线的反向击穿区内。（ ）
6、复合管的共发射极电流放大倍数β等于两管的β1、β2之和。（ ）
7、直流放大器能放大直流信号和交流信号。（ ）
8、放大器的零点漂移是指输出信号不能稳定与零电压。（ ）
9、直流放大器的末级信号幅度大，对零漂的影响较大。（ ）
10、直流放大器抑制零点漂移的主要措施是使用差分放大器。（ ）
11、理想的集成运放电路输入阻抗为无穷大，输出阻抗为零。（ ）
12、电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。（ ）
13、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )
14 、可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )
15、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。( )
16在单相桥式整流电容滤 波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
( )

17、电路中电流的方向是电子运动的方向。( )
18、几个不等值的电阻串联，每个电阻中通过的电流也不相等。( )
二、填空题
1.二极管的主要特性是具有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
2.锗二极管的死区电压是＿＿＿V ，硅二极管的死去电压是＿＿＿V。锗二极管导通时的电压降是
＿＿＿V，硅二极管导通时的电压降是＿ ＿＿V。
3.半波整流与桥式整流相比，输出电压脉动成分较小的是＿＿＿＿＿电路。
4.若半波整流电路负载两端的平均电压为4.5V，则二极管的最高反向电压应大于＿＿＿V。 5.若桥式整流电路中变压器次级单向电压为10V，则二极管的最高反向工作电压应不小于＿＿＿
V；若负载电流为800mA，则每只二极管的平电流应大于＿＿＿mA。
6.在整流电路与负载之间 接入滤波电路，可以把脉动直流电中的＿＿＿＿成分滤除掉。当负载功
率较小时，采用＿＿＿＿滤波方式 效果最好。而当负载功率较大时，则应改用＿＿＿＿滤波方式
较好。
7.滤波电路的功能是＿＿＿＿＿，稳压电路的作用是＿＿＿＿＿工作电压。
8.发光二极管的功能是＿＿＿＿＿＿；光电二极管的功能是＿＿＿＿＿＿＿＿。
9.放大器的基本性能是具有＿＿＿＿＿能力。
10.对直流通路而言，放大器中的电容可视 为＿＿＿＿；对于交流通路而言，容抗小的电容器可视
作＿＿＿＿＿，内阻小的电源可视作＿＿
＿＿＿。
12.在共发射机放大电路中，输入电压υ
ì
与输出电流ì
O相位＿＿＿＿，与输出电压υ
O
相位＿＿＿
＿。
13.一放大器的电压放大倍数为1000，转换为分贝数为＿＿＿＿。
三、选择题
1.处于放大状态时，加在硅材料三极管的发射结正偏压＿＿＿。
A.0.1~0.3V B.0.5~0.8V C.0.9~1.0V D.1.2V
三极管工作在放大状态时，其两个结的偏压为＿＿＿。
A.V
BE
﹥0、V
BE
﹤V
CE
B.V
BE
﹤O﹑V
BE
﹤V
CE

C.V
BE
﹥O﹑V
BE
﹥V
CE
C.V
BE
﹤O﹑V
CE
﹥O
3.放大器电压放大倍数A
υ
=-40，其中负号代表＿＿＿。
A.放大倍数小于0 B.衰减
C.同相放大 D.反相放大
4.若某电路的电压增益为-20dB，该电路是＿＿＿。
A.同相放大器 B.衰减器
C.跟随器 D.反相放大器
5．从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ ）时，处于正向导通状态。
（ ）
A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降
3

6、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A．增大 B．不变 C．减小
7、工作在放大区的某三极管，如果当
I
B
从12uA增大到2 2uA时，
Ic
从1 mA变为2 mA，
那么它的β约为 。
A．83 8．91 C．100
8、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A、元件老化 B、晶体管参数受温度影响 C、放大倍数不够稳定 D、电源电压不稳定
9、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A、便于设计 B、放大交流信号 C、不易制作大容量电容
10、在A、B、C三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是 （ ）。
A、共基放大电路 B、共集放大电路 C、共射放大电路
11、工作在放大区的某三极管，如果当
I
B
从12uA增大到2 2uA时，
Ic
从1 mA变为2 mA，那么
它的β约为（ ）。
A．83 8．91 C．100
12、单相桥式整流电路输出电压平均值Uo=（ ）Uz
A、0.45 B、0.9 C、1.2

13、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（ ）。
Ａ、好 Ｂ、差 Ｃ、相同
14、二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（ ）。
A：0.75U2 B： U2 C：0.45U2 D：0.9U2
15、用万用表R×1KΩ档测 二极管，若红表笔接正极，黑表笔及负极时读书为50KΩ；换黑表笔
接正极，读数为1KΩ，则这只二 极管的情况是＿＿＿＿。
A.内部已断路不能用 B.内部已短路不能用
C.没有坏，但性能不好 D.性能良好
16、某二极管的击穿电压为300V，当直接对2 20V正弦交流电进行半波整流时，该二极管＿＿＿。
A.会击穿 B.不会击穿 C.不一定击穿 D.完全截止
17、在桥式整流电路中，若有一只二极管断开，则负载两端的直流电压将＿＿＿。
A.变为零 B.下降 C.升高 D.保持不变
18、金属导体的电阻值随着温度的升高而（ ）。 A：增大 B：减少 C：恒定 D：变弱
19、二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（ ）。 A：0.75U2 B： U2 C：0.45U2 D：0.9U
2
20、在三极管放大电路中，为了增强带负载的能力应采用（ ）放大电路。
A：共发射极 B：共基极 C：共集电极 D：共阴极
21、已知放大电路中三个管脚对地的电位是（1）0V；（ 2）0.7V；（3）6V，则该三极管是（ ）
型。
A：NPN B：PNP C：硅管 D：锗管
22、晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为（ ）。
A：饱和 B：截止 C：放大 D：导通
23、共发射极放大器，集电极电阻RC的作用是（ ）。
A：实现电流放大 B：晶体管电流放大转变成电压放大 C：电流放大与电压放大 D：稳定工作点
24、整流的目的是 。
A．将交流变为直流 B．将高频变为低频 C．将正弦波变为方波
25、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则 。
A．输出电压约为
2U
D
B．变为半波直流 C．整流管将因电流过大而烧坏
26、直流稳压电源中滤波电路的目的是 。
A．将交流变为直流 8．将高频变为低频
C．将交、直流混合量中的交流成分滤掉


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